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以碳化硅為代表的第三代半導體
作者 金嶺環保
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發布時間 17-08-05
以碳化硅為代表的第三代半導體，與單晶硅和砷化鎵等傳統半導體材料相比，具有明顯的優勢，如高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高鍵合能、高化學穩定性、抗輻射性強等，決定了碳化硅在諸多領域有著不可替代的地位。主要如下：
1、 SiC具有高熱導率（達到4.9W/cm*K），是Si的3.3倍。因此，SiC材料散熱效果好，理論上，SiC功率器件可在175℃結溫下工作，因此散熱器的體積可以顯著減小，適合用來制作高溫器件。
2、 SiC具有高的擊穿場強，其擊穿電場是Si的10倍，因而適用于高壓開關，最大功率處理能力強，使得SiC材料適于制作大功率、大電流器件。
3、 SiC具有高的飽和電子漂移速率，其數值是Si的2倍，在高場下幾乎不發生衰減，其高場處理能力強，因此，SiC材料適用于高頻器件。
碳化硅單晶在制備技術上也是第三代半導體材料中最成熟的，因此SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器的理想材料之一。
