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碳化硅器件的優越性
作者 金嶺環保
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發布時間 17-08-02
碳化硅是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規劃，而且一些國際電子業劇透也都投入巨資發展碳化硅半導體器件。
與普通硅相比，采用碳化硅的元器件有如下特性：
高壓特性：
1、 碳化硅器件是同等硅器件耐壓的10倍；
2、 碳化硅肖特基管耐壓可到2400V；
3、 碳化硅場效應管耐壓可達數萬伏，且通態電阻并不很大。
高溫特性：
在Si材料已經接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待。
相對于以往的Si材質器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關鍵。
目前，低功耗的碳化硅器件已經從實驗室進入實用器件生產階段。目前碳化硅圓片的價格比較高，其缺陷也多，其市場應用還不是很成熟。
